Componenti di elettronica del transistor di effetto del giacimento del MOSFET di Semicon CSD25483F4
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Numero di modelloCSD25483F4
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Corrente - Uscita (Max)CSD25483F4
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Montaggio del tipoSMD
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FrequenzaNorma
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FunzioneNorma
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Frequenza - Cutoff o CenterNorma
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Luogo di origineLa CINA
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MarcaCSD25483F4
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CertificazioneCSD25483F4
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Numero di modelloCSD25483F4
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Quantità di ordine minimo6 PCS
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PrezzoInquiry
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Imballaggi particolaricartone/scatola/borsa
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Tempi di consegna2days
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Termini di pagamentoT/T, IMPEGNO, ALIPAY, PROVA BIANCA di HORSE/GETS, Paypal, Western Union, paga di WeChat
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Capacità di alimentazione600000pcs/Day
Componenti di elettronica del transistor di effetto del giacimento del MOSFET di Semicon CSD25483F4
Componenti di elettronica del transistor di effetto del giacimento del MOSFET di Semicon CSD25483F4
| Attributi | valore del parametro | |
|---|---|---|
| Catalogo di prodotto | Transistor di effetto di campo (MOSFET) | |
| tipo | - | |
| Tensione di Scolo-fonte (Vdss) | - | |
| Corrente continua dello scolo (identificazione) | - | |
| Potere (palladio) | - | |
| Su resistenza (@Vgs di RDS (sopra), identificazione) | - | |
| Tensione della soglia (@Id di Vgs (Th)) | - | |
| Tassa del portone (Qg@Vgs) | - | |
| Capacità introdotta (Ciss@Vds) | - | |
| Capacità inversa di trasferimento (Crss@Vds) | - |
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