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CSD13381F4 12V ESD Protection Mosfet Field Effect Transistor DQ XFDFN-3 N-Channel

N-Manica del transistor di effetto del giacimento del Mosfet di protezione di CSD13381F4 12V ESD DQ XFDFN-3

Prodotti - Transistor del diodo di IC
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    Transistor di effetto del giacimento del Mosfet di ESD

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    transistor di effetto del giacimento del Mosfet 12V

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    CSD13381F4

  • Numero di modello
    CSD13381F4
  • Tipo
    CSD13381F4
  • Temperatura di funzionamento
    -40°C ~ 85°C, temperatura normale
  • Nome di prodotto
    Dispositivo d'avviamento d'apprendimento Kit Suite For Raspberry Pi di componente elettronico
  • Pacchetto/caso
    SMD/DIP/SOP/QFP/BGA/TO/PLCC/QFN
  • Applicazione
    Componets elettronico, computer
  • Luogo di origine
    La CINA
  • Marca
    CSD13381F4
  • Certificazione
    CSD13381F4
  • Numero di modello
    CSD13381F4
  • Quantità di ordine minimo
    6 PCS
  • Prezzo
    Contact
  • Imballaggi particolari
    Cartone standard
  • Tempi di consegna
    1 giorno
  • Termini di pagamento
    T/T, T/T, D/P, D/A, L/C, D/P, L/C, Paypal, impegno
  • Capacità di alimentazione
    288000pcs/Day

N-Manica del transistor di effetto del giacimento del Mosfet di protezione di CSD13381F4 12V ESD DQ XFDFN-3

  • CSD13381F4 12V ESD Protection Mosfet Field Effect Transistor DQ XFDFN-3 N-Channel
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Effetto di campo di protezione di N-Manica 12V ESD di CSD13381F4 DQ XFDFN-3 MOS Transistor

 

 

Attributi valore del parametro  
Catalogo di prodotto Transistor di effetto di campo (MOSFET)
tipo -
Tensione di Scolo-fonte (Vdss) -
Corrente continua dello scolo (identificazione) -
Potere (palladio) -
Su resistenza (@Vgs di RDS (sopra), identificazione) -
Tensione della soglia (@Id di Vgs (Th)) -
Tassa del portone (Qg@Vgs) -
Capacità introdotta (Ciss@Vds) -
Capacità inversa di trasferimento (Crss@Vds) -

 

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