Transistor BJT bipolare singolo NPN di Semicon D44VH10G attraverso i chip di IC di elettronica del foro TO-220
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DescrizioneD44VH10G
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Frequenza - CommutazioneD44VH10G
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D/cPiù nuovo
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PacchettoImballaggio di serie (sacchetto di plastica/contenitore di cartone)
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Circostanza100% originale
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Temperatura di funzionamento-40°C ~ 85°C
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Spedizione vicinoDHL/FEDEX/TNT/EMS/ARAMEX/EUB
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MaterialeMateria plastica dell'ABS
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Luogo di origineD44VH10G
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MarcaOrigianal
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CertificazioneD44VH10G
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Numero di modelloD44VH10G
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Quantità di ordine minimo6 PCS
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PrezzoTo discuss
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Imballaggi particolariNorma
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Tempi di consegnaDi riserva
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Termini di pagamentoT/T, impegno, prova di Whhite Horse/GETS, Alipay
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Capacità di alimentazione208000pcs/day
Transistor BJT bipolare singolo NPN di Semicon D44VH10G attraverso i chip di IC di elettronica del foro TO-220
Transistor BJT bipolare singolo NPN di Semicon D44VH10G attraverso i chip di IC di elettronica del foro TO-220
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TIPO
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DESCRIVA
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categoria
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produttore
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onsemi
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serie
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stato del prodotto
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in azione
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Tipo del transistor
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NPN
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Corrente - collettore (CI) (massimo)
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15 A
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Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima)
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80 V
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Caduta di tensione a Ib differente, CI (massimo) di saturazione di Vce
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400mV @ 400mA, 8A
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Corrente - taglio del collettore (massimo)
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Guadagno corrente di CC (hFE) a CI differente, Vce (minimo)
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20 @ 4A, 1V
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Massimo elettrico
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83 W.
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frequenza-transizione
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50MHz
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Temperatura di funzionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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tipo dell'installazione
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attraverso il foro
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Pacchetto/recinzione
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TO-220-3
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Imballaggio del dispositivo del fornitore
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TO-220
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Numero di base del prodotto
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