Mosfet del tubo di effetto del giacimento del MOS del punto SI2309CDS-T1-GE3 SOT23-3
SI2309CDS-T1-GE3 |
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Produttore
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Vishay Siliconix
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Produttore Product Number
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SI2309CDS-T1-GE3
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Descrizione
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MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
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Produttore Standard Lead Time
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50 settimane
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Descrizione dettagliata
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P-Manica 60 V 1.6A (TC) 1W (tum), 1.7W (TC) supporto SOT-23-3 (TO-236) della superficie
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TIPO
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DESCRIZIONE
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Categoria
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Prodotti a semiconduttori discreti
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
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Mfr
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Vishay Siliconix
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Serie
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TrenchFET®
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Stato del prodotto
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Attivo
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Tipo del FET
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P-Manica
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Tecnologia
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MOSFET (ossido di metallo)
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Vuoti a tensione di fonte (Vdss)
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60 V
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Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C
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1.6A (TC)
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Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
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345mOhm @ 1.25A, 10V
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Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @
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3V @ 250µA
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Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs
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4,1 nC @ 4,5 V
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Vgs (massimo)
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±20V
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Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds
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210 PF @ 30 V
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Caratteristica del FET
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-
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Dissipazione di potere (massima)
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1W (tum), 1.7W (TC)
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Temperatura di funzionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaggio del tipo
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Supporto di superficie
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Pacchetto del dispositivo del fornitore
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SOT-23-3 (TO-236)
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Pacchetto/caso
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numero del prodotto di base
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SI2309
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TIPO DELLE RISORSE | COLLEGAMENTO |
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Schede | SI2309CDS |
Informazione ambientale | |
Scheda del HTML | SI2309CDS |
EDA Models | SI2309CDS-T1-GE3 ultra dal bibliotecario |
ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
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Stato di RoHS | ROHS3 compiacente |
Livello di sensibilità di umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
Stato di PORTATA | RAGGIUNGA inalterato |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
PAC1934T-I/J6CX | MICROCHIP | 22+ | WLCSP16 |
SSM2529ACBZ-R7 | ADI | 22+ | WLCSP16 |
FAN53526UC00X | SU | 22+ | WLCSP-15 |
NX20P5090UKAZ | NXP | 22+ | WLCSP15 |
NX20P5090UK | NXP | 22+ | WLCSP15 |
STM32L4R9ZIY6PTR | STM | 22+ | WLCSP-144 |
STM32F429ZIY6TR | St | 22+ | WLCSP143 |
RT9746HWSC | RICHTEK | 22+ | WL-CSP-12B |
MX25R1635FBDIL0 | MXIC/ | 22+ | WLCSP-12 |
MX25R6435FBDIL0 | MXIC | 22+ | WLCSP-12 |
W25Q32JWBYIQ | 22+ | WLCSP12 | |
NX5P3090UK | NXP | 22+ | WLCSP12 |
TCC-303A-RT | SOPRA | 22+ | WLCSP12 |
STM32L496VGY6PTR | St | 22+ | WLCSP100 |
ADG884BCBZ-REEL7 | ADI | 22+ | WLCSP10 |
EFC2K102ANUZTDG | SU | 22+ | WLCSP10 |
SGM40661YG/TR | RLS | 22+ | WLCSP-1.30 |
SGM6032-1.2YG/TR | SGMICRO () | 22+ | WLCSP-1.21 |
P9222-3AZGI8 | RENESAS | 22+ | WLCSP |
PCMF1USB3S | NXP | 22+ | WLCSP |
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MC33202DR2G |
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Numero del pezzo di Digi-chiave
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MC33202DR2GOSTR-ND - Nastro & bobina (TR)
MC33202DR2GOSCT-ND - Tagli il nastro (CT)
MC33202DR2GOSDKDR-ND - Digi-Reel®
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Produttore
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Produttore Product Number
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MC33202DR2G
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Descrizione
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CIRCUITO 8SOIC DEL GP 2 DI IC OPAMP
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Produttore Standard Lead Time
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45 settimane
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Descrizione dettagliata
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Ferrovia--ferrovia per tutti gli usi 8-SOIC del circuito dell'amplificatore 2
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