IKW75N65ES5XKSA1 |
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Produttore
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Infineon Technologies
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Produttore Product Number
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IKW75N65ES5XKSA1
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Descrizione
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FOSSA 650V 80A TO247-3 di IGBT
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Descrizione dettagliata
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Fossa 650 V 80 A 395 W di IGBT attraverso il foro PG-TO247-3
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TIPO
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DESCRIZIONE
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Categoria
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Prodotti a semiconduttori discreti
Transistor - IGBTs - singoli
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Mfr
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Infineon Technologies
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Serie
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TrenchStop™
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Stato del prodotto
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Attivo
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Tipo di IGBT
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Fossa
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Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima)
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650 V
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Corrente - collettore (CI) (massimo)
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80 A
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Corrente - collettore pulsato (Icm)
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300 A
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Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI
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1.75V @ 15V, 75A
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Massimo elettrico
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395 W
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Energia di commutazione
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2.4mJ (sopra), 950µJ (fuori)
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Tipo introdotto
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Norma
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Tassa del portone
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164 nC
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Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C
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40ns/144ns
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Condizione di prova
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400V, 75A, 18Ohm, 15V
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Tempo di recupero inverso (trr)
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85 NS
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Temperatura di funzionamento
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-40°C ~ 175°C (TJ)
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Montaggio del tipo
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Attraverso il foro
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Pacchetto/caso
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TO-247-3
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Pacchetto del dispositivo del fornitore
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PG-TO247-3
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Numero del prodotto di base
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IKW75N65
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TPS6209718RWKR | TI | 22+ | VQFN11 |
USB7002T-I/KDXVAO | MICROCHIP | 22+ | VQFN-100 |
USB7002-I/KDX | MICROCHIP | 22+ | VQFN-100 |
USB5807-I/KD | MICROCHIP | 22+ | VQFN100 |
USB5807T/KD | MICROCHIP | 22+ | VQFN100 |
TPS259460ARPWR | TI | 22+ | VQFN-10 |
TPS62913RPUR | TI | 22+ | VQFN-10 |
TLV62585RWTT | TI | 22+ | VQFN-10 |
LM3658SDX-B/NOPB | TI | 22+ | VQFN10 |
TPS62142RGTR | TI | 22+ | VQFN1 |
DRV8801RTYR/DRV8801RTYT | TI | 22+ | VQFN |
TPS630701RNMR | TI | 22+ | VQFN |
LMR33620AQRNXRQ1 | TI | 22+ | VQFN |
BQ24079TRGTR | TI | 22+ | VQFN |
PIC16F1719T-I/MV | MICROCHIP | 22+ | VQFN |
MSP430FR2522IRHLR | TI | 22+ | VQFN |
TPS51486RJER | TI | 22+ | VQFN |
ATA5702F1000M-WDQW | MICROCHIP | 22+ | VQFN |
TPS74401RGRR | TI | 22+ | VQFN |
TPS6281208QWRWYRQ1 | TI | 22+ | VQFN |
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